내부 부품 번호 | RO-FDP8D5N10C |
---|---|
조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 130µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220-3 |
연속: | PowerTrench® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8.5 mOhm @ 76A, 10V |
전력 소비 (최대): | 2.4W (Ta), 107W (Tc) |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
제조업체 표준 리드 타임: | 32 Weeks |
무연 상태: | Lead free |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2475pF @ 50V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 76A (Tc) |
Email: | [email protected] |