ECF840AAACN-C1-Y3
- 제품 모델:
- ECF840AAACN-C1-Y3
- 기술:
- IC DRAM 8G PARALLEL
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 30483 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- ECF840AAACN-C1-Y3.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-ECF840AAACN-C1-Y3 |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 전압 - 공급: | 1.14 V ~ 1.95 V |
| 과학 기술: | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| 연속: | - |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 8Gb (512M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel |
| Email: | [email protected] |
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