内部モデル | RO-SQ4949EY-T1_GE3 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 35 mOhm @ 5.9A, 10V |
電力 - 最大: | 3.3W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1020pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 30nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |