内部モデル | RO-SI8275GBD-IS1R |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電源電圧 - : | 4.2 V ~ 30 V |
電圧 - 絶縁: | 2500Vrms |
電圧 - フォワード(Vf)(標準): | - |
技術: | Capacitive Coupling |
サプライヤデバイスパッケージ: | 16-SOIC |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
立上り/立下り時間(Typ): | 10.5ns, 13.3ns |
パルス幅歪み(最大): | 8ns |
伝播遅延tpLH / tpHL(最大): | 75ns, 75ns |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | 336-5557-1 |
運転温度: | -40°C ~ 125°C |
チャネル数: | 2 |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 2A (4 Weeks) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
電流 - ピーク出力: | 4A |
電流 - 出力高、低: | 1.8A, 4A |
コモンモード過渡耐性(最小): | 200kV/µs |
承認: | CQC, CSA, UR, VDE |
Email: | [email protected] |