内部モデル | RO-PSMN2R9-25YLC,115 |
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状況 | Original New |
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トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 2083pF @ 12V |
電圧 - ブレークダウン: | LFPAK56, Power-SO8 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.15 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 100A (Tc) |
偏光: | SC-100, SOT-669 |
他の名前: | 1727-5301-2 568-6731-2 568-6731-2-ND 934065202115 PSMN2R925YLC115 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PSMN2R9-25YLC,115 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 33nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1.95V @ 1mA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 25V 100A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 25V |
静電容量比: | 92W (Tc) |
Email: | [email protected] |