内部モデル | RO-NSBA114TDXV6T5 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-563 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | - |
抵抗器 - ベース(R1): | 10 kOhms |
電力 - 最大: | 500mW |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
他の名前: | NSBA114TDXV6T5OS |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | - |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 160 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | NSBA1* |
Email: | [email protected] |