内部モデル | RO-JANTX2N3636L |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 175V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 600mV @ 5mA, 50mA |
トランジスタ型式: | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-5 |
シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/357 |
電力 - 最大: | 1W |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
他の名前: | 1086-20884 1086-20884-MIL |
運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | - |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 50 @ 50mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 10µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 1A |
Email: | [email protected] |