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IXFN50N120SK
IXFN50N120SK
部品型番:
IXFN50N120SK
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH
在庫数量:
34706 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
IXFN50N120SK.pdf
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規格

内部モデル RO-IXFN50N120SK
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:2.8V @ 10mA
Vgs（最大）:+20V, -5V
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-227B
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:52 mOhm @ 40A, 20V
電力消費（最大）:-
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1895pF @ 1000V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:115nC @ 20V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1200V
詳細な説明:N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:48A (Tc)
Email:[email protected]

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