内部モデル | RO-IXFN27N80 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 8mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
シリーズ: | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 300 mOhm @ 13.5A, 10V |
電力消費(最大): | 520W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
他の名前: | 468185 Q1653251 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | Not Applicable |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 9740pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 400nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V, 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
詳細な説明: | N-Channel 800V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |