内部モデル | RO-IRLML5103TRPBF |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
電力消費(最大): | 540mW (Ta) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | IRLML5103GTRPBFDKR IRLML5103GTRPBFDKR-ND IRLML5103PBFDKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 75pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5.1nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 760mA (Ta) |
Email: | [email protected] |