内部モデル | RO-IRFR18N15DTRR |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 900pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | D-Pak |
同上@ VGS(TH)(最大): | 125 mOhm @ 11A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 18A (Tc) |
偏光: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRFR18N15DTRR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 43nC @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 150V |
静電容量比: | 110W (Tc) |
Email: | [email protected] |