内部モデル | RO-IDT70824S20G |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 20ns |
電源電圧 - : | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術: | SARAM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 84-PGA (27.94x27.94) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 84-BPGA |
他の名前: | 70824S20G |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 64Kb (4K x 16) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | RAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明: | SARAM Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 20ns 84-PGA (27.94x27.94) |
ベース部品番号: | IDT70824 |
アクセス時間: | 20ns |
Email: | [email protected] |