内部モデル | RO-IDH10G65C6XKSA1 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@: | 1.35V @ 10A |
電圧 - 逆(VR)(最大): | 650V |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO220-2 |
速度: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ: | - |
逆回復時間(trrの): | 0ns |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-2 |
他の名前: | SP001620590 |
動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ: | Through Hole |
メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 24A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 33µA @ 420V |
電流 - 平均整流(イオ): | 24A (DC) |
Vrと、F @キャパシタンス: | 495pF @ 1V, 1MHz |
Email: | [email protected] |