内部モデル | RO-FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 5.55V @ 40mA |
サプライヤデバイスパッケージ: | Module |
シリーズ: | CoolSiC™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 11 mOhm @ 100A, 15V |
電力 - 最大: | 20mW |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | Module |
他の名前: | FF11MR12W1M1_B11 SP001602204 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | Not Applicable |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7950pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 250nC @ 15V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Silicon Carbide (SiC) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100A |
Email: | [email protected] |