DMG6601LVT-7
- 部品型番:
- DMG6601LVT-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 55941 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- DMG6601LVT-7.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-DMG6601LVT-7 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TSOT-26 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| 電力 - 最大: | 850mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 他の名前: | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 422pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 3.8A, 2.5A |
| ベース部品番号: | DMG6601 |
| Email: | [email protected] |
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