内部モデル | RO-BS170 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - テスト: | 60pF @ 10V |
電圧 - ブレークダウン: | TO-92-3 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | - |
RoHSステータス: | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 500mA (Ta) |
偏光: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前: | BS170OS |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | BS170 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3V @ 1mA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60V |
静電容量比: | 350mW (Ta) |
Email: | [email protected] |