内部モデル | RO-BF493S |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 350V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 2V @ 2mA, 20mA |
トランジスタ型式: | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 625mW |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | 50MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 40 @ 10mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 10nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
Email: | [email protected] |