内部モデル | RO-BCR108E6327HTSA1 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 300mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-23-3 |
シリーズ: | - |
抵抗器ベース(R2): | 47 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1): | 2.2 kOhms |
電力 - 最大: | 200mW |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | BCR108E6327HTSA1CT BCR108E6327INCT BCR108E6327INCT-ND |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 170MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 70 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | BCR108 |
Email: | [email protected] |