内部モデル | RO-AS6C1008-55TINL |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 55ns |
電源電圧 - : | 2.7 V ~ 5.5 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ: | 32-TSOP I |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
他の名前: | 1450-1168-5 AS6C1008-55TINL-ND |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 1Mb (128K x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | SRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP I |
アクセス時間: | 55ns |
Email: | [email protected] |