内部モデル | RO-AS4C4M16SA-7B2CN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 2ns |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | SDRAM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 60-FBGA |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 60-VFBGA |
他の名前: | 1450-1439 AS4C4M16SA-7B2CN-ND |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 64Mb (4M x 16) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
詳細な説明: | SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 60-FBGA |
クロック周波数: | 143MHz |
アクセス時間: | 5.4ns |
Email: | [email protected] |