内部モデル | RO-AS4C2M32S-6BIN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 2ns |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | SDRAM |
サプライヤデバイスパッケージ: | 90-TFBGA (8x13) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 90-TFBGA |
他の名前: | 1450-1147 AS4C2M32S-6BIN-ND |
運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 64Mb (2M x 32) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13) |
クロック周波数: | 166MHz |
アクセス時間: | 5.4ns |
Email: | [email protected] |