内部モデル | RO-AS4C1G8MD3L-12BCN |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
電源電圧 - : | 1.283 V ~ 1.45 V |
技術: | SDRAM - DDR3L |
サプライヤデバイスパッケージ: | 78-FBGA (9x13.2) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 78-TFBGA |
他の名前: | 1450-1309 AL41K1G8SN-125:A AS4C1G8D3L-12BCN |
運転温度: | 0°C ~ 95°C (TC) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 8Gb (1G x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | DRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x13.2) |
クロック周波数: | 800MHz |
アクセス時間: | 13.75ns |
Email: | [email protected] |