内部モデル | RO-71V416S10BEG |
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状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 10ns |
電源電圧 - : | 3 V ~ 3.6 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ: | 48-CABGA (9x9) |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tray |
パッケージ/ケース: | 48-TFBGA |
他の名前: | 800-2323 IDT71V416S10BEG IDT71V416S10BEG-ND |
運転温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 4Mb (256K x 16) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | SRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9) |
ベース部品番号: | IDT71V416 |
アクセス時間: | 10ns |
Email: | [email protected] |