内部モデル | RO-7164L35DB |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
電源電圧 - : | 4.5 V ~ 5.5 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
サプライヤデバイスパッケージ: | 28-CerDip |
シリーズ: | - |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
他の名前: | IDT7164L35DB IDT7164L35DB-ND |
運転温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メモリタイプ: | Volatile |
記憶容量: | 64Kb (8K x 8) |
メモリインタフェース: | Parallel |
メモリ形式: | SRAM |
メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
詳細な説明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CerDip |
アクセス時間: | 35ns |
Email: | [email protected] |