内部モデル | RO-2N5460 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
電圧 - イド@カットオフ(VGSオフ): | 750mV @ 1µA |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): | 40V |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 350mW |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前: | 2N5460-ND 2N5460OS |
運転温度: | -65°C ~ 135°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 7pF @ 15V |
FETタイプ: | P-Channel |
詳細な説明: | JFET P-Channel 40V 350mW Through Hole TO-92-3 |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS): | 1mA @ 15V |
ベース部品番号: | 2N5460 |
Email: | [email protected] |