内部モデル | RO-2N5401,412 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 150V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 500mV @ 5mA, 50mA |
トランジスタ型式: | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 630mW |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前: | 2N5401P 2N5401P-ND 933275440412 |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 300MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 300mA 300MHz 630mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 60 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 50nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 300mA |
ベース部品番号: | 2N5401 |
Email: | [email protected] |