内部モデル | RO-2N5116 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
電圧 - イド@カットオフ(VGSオフ): | 1V @ 1nA |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): | 30V |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-18 |
シリーズ: | - |
抵抗 - RDS(ON): | 150 Ohms |
電力 - 最大: | 500mW |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
他の名前: | 2N5116 PBFREE 2N5116CS |
運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 25pF @ 15V |
FETタイプ: | P-Channel |
詳細な説明: | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 |
電流 - 電圧Vds(VGS = 0)@ドレイン(IDSS): | 5mA @ 15V |
Email: | [email protected] |