TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG
Modello di prodotti:
TSM900N06CW RPG
fabbricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
70262 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
TSM900N06CW RPG.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-TSM900N06CW RPG
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):25W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:TSM900N06CW RPGTR
TSM900N06CW RPGTR-ND
TSM900N06CWRPGTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:28 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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