NTLJS4159NT1G
NTLJS4159NT1G
Modello di prodotti:
NTLJS4159NT1G
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
82859 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
NTLJS4159NT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-NTLJS4159NT1G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1045pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 3.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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