NGTD21T65F2WP
- Modello di prodotti:
- NGTD21T65F2WP
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 71328 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- NGTD21T65F2WP.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-NGTD21T65F2WP |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.9V @ 15V, 45A |
| Condizione di test: | - |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | - |
| di scambio energetico: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Die |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 200A |
| Email: | [email protected] |
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