NE3514S02-T1C-A
- Modello di prodotti:
- NE3514S02-T1C-A
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- HJ-FET NCH 10DB S02
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 89479 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.NE3514S02-T1C-A.pdf2.NE3514S02-T1C-A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-NE3514S02-T1C-A |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Prova: | 2V |
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | S02 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, Flat Leads |
| Figura di rumore: | 0.75dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 10dB |
| Frequenza: | 20GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02 |
| Valutazione attuale: | 70mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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