MJD32CT4G
MJD32CT4G
Modello di prodotti:
MJD32CT4G
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
70784 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
MJD32CT4G.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-MJD32CT4G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Potenza - Max:1.56W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:MJD32CT4GOSCT
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:10 @ 3A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):50µA
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Numero di parte base:MJD32
Email:[email protected]

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