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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > JAN2N6790U
JAN2N6790U
Modello di prodotti:
JAN2N6790U
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 18-LCC
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
57407 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN2N6790U.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-JAN2N6790U
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:18-ULCC (9.14x7.49)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/555
Rds On (max) a Id, Vgs:850 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):800mW (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:18-CLCC
Altri nomi:JAN2N6790U-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 2.8A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Tc)
Email:[email protected]

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