IS61DDB42M18-250M3L
IS61DDB42M18-250M3L
Modello di prodotti:
IS61DDB42M18-250M3L
fabbricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione:
IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
61533 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.IS61DDB42M18-250M3L.pdf2.IS61DDB42M18-250M3L.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IS61DDB42M18-250M3L
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.71 V ~ 1.89 V
Tecnologia:SRAM - Synchronous, DDR II
Contenitore dispositivo fornitore:165-LFBGA (15x17)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:165-LBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):2 (1 Year)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 5.85ns 165-LFBGA (15x17)
Frequenza dell'orologio:250MHz
Tempo di accesso:5.85ns
Email:[email protected]

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