Numero di parte interno | RO-IRF530NSPBF |
---|---|
Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 9A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 70W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi: | *IRF530NSPBF SP001551118 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 37nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |