FDFMA2P853T
- Modello di prodotti:
- FDFMA2P853T
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 70992 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- FDFMA2P853T.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-FDFMA2P853T |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MicroFET 2x2 Thin |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.4W (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | FDFMA2P853TCT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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