Numero di parte interno | RO-EPC8003ENGR |
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Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Tensione - Prova: | 38pF @ 50V |
Tensione - Ripartizione: | Die |
Vgs (th) (max) a Id: | 300 mOhm @ 500mA, 5V |
Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie: | eGaN® |
Stato RoHS: | Tray |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5A (Ta) |
Polarizzazione: | Die |
Altri nomi: | 917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | EPC8003ENGR |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 0.32nC @ 5V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
Caratteristica FET: | N-Channel |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die |
Tensione drain-source (Vdss): | - |
Descrizione: | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
rapporto di capacità: | - |
Email: | [email protected] |