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Casa > Centro di prodotti > Condensatori > Condensatori a doppio strato elettrici (EDLC), sup > DSK-3R3H334T-HL
DSK-3R3H334T-HL
DSK-3R3H334T-HL
Modello di prodotti:
DSK-3R3H334T-HL
fabbricante:
Elna America
Descrizione:
CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
49101 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
DSK-3R3H334T-HL.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-DSK-3R3H334T-HL
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - nominale:3.3V
Tolleranza:-20%, +80%
fine:SMD (SMT) Tabs
Dimensioni / Dimension:0.268" Dia (6.80mm)
Serie:DSK
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Coin, Wide Terminals - Opposite Sides
Altri nomi:604-1160-2
DSK3R3H334THL
temperatura di esercizio:-10°C ~ 60°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Durata alla temp.:500 Hrs @ 60°C
Distanza conduttori:-
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Altezza - In sede (max):0.118" (3.00mm)
ESR (Resistenza in serie equivalente):200 Ohm
Descrizione dettagliata:330mF (EDLC) Supercapacitor 3.3V Coin, Wide Terminals - Opposite Sides 200 Ohm 500 Hrs @ 60°C
Capacità:330mF
Email:[email protected]

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Parti relative per DSK-3R3H334T-HL

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
DSK10E Image DSK10E ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
DSK10E-AT1 Image DSK10E-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
DSK-3R3H703T414-HRL Image DSK-3R3H703T414-HRL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Inchiesta
DSK10C-BT Image DSK10C-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
DSK5J01Q0L Image DSK5J01Q0L Panasonic JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B Inchiesta
DSK10B-AT1 Image DSK10B-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Inchiesta
DSK9J01P0L Image DSK9J01P0L Panasonic JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 Inchiesta
DSK10E-ET1 Image DSK10E-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
DSK10C-AT1 Image DSK10C-AT1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
DSK10C Image DSK10C ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
205DER2R5SFQ Image 205DER2R5SFQ Illinois Capacitor CAP 2F -20%, +50% 2.5V T/H Inchiesta
DSK10B Image DSK10B ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Inchiesta
DSK10C-ET1 Image DSK10C-ET1 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
DSK10B-BT Image DSK10B-BT ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL Inchiesta
DSK-3R3H224U-HL Image DSK-3R3H224U-HL Elna America CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD Inchiesta
DSK-3R3H204T614-H2L Image DSK-3R3H204T614-H2L Elna America CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD Inchiesta
PSHLR-0120C0-002R3 Nesscap Co., Ltd CAP 120F -10% +20% 2.3V T/H Inchiesta
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DSK-3R3H703T414-HLL Image DSK-3R3H703T414-HLL Elna America CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD Inchiesta
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