CSD19533KCS
- Modello di prodotti:
- CSD19533KCS
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
- Stato RoHS:
- Richiedi la verifica dell'inventario / conforme alla normativa RoHS
- Quantità in magazzino:
- 54279 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CSD19533KCS.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-CSD19533KCS |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10.5 mOhm @ 55A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 188W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | 296-37482-5 CSD19533KCS-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 35 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Request inventory verification / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2670pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Numero di parte base: | CSD19533 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CSD19533KCS
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