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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF647,112
BLF647,112
BLF647,112
Modello di prodotti:
BLF647,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
39708 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF647,112.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-BLF647,112
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:120W
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:SOT-540A
Altri nomi:568-2419
934056498112
BLF647
BLF647-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:14.5dB
Frequenza:600MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 600MHz 14.5dB 120W LDMOST
Valutazione attuale:18A
Numero di parte base:BLF647
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF647,112

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF647P,112 Image BLF647P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A Inchiesta
BLF645,112 Image BLF645,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A Inchiesta
BLF6G05LS-200RN:11 Image BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Inchiesta
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Inchiesta
BLF640U Image BLF640U Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A Inchiesta
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BLF6G10-45,135 Image BLF6G10-45,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Inchiesta
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