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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT34N80B2C3G
APT34N80B2C3G
APT34N80B2C3G
Modello di prodotti:
APT34N80B2C3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
60788 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APT34N80B2C3G.pdf2.APT34N80B2C3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APT34N80B2C3G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:145 mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (max):417W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:355nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione dettagliata:N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX Inchiesta
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APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Inchiesta
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