2SJ652-1E
- Modello di prodotti:
- 2SJ652-1E
- fabbricante:
- ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 66930 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 2SJ652-1E.pdf
introduzione
We can supply 2SJ652-1E, use the request quote form to request 2SJ652-1E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2SJ652-1E.The price and lead time for 2SJ652-1E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2SJ652-1E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-2SJ652-1E |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F-3SG |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 38 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | 2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4360pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 28A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SJ652-1E
Latest Notizie
- Onsemi ha lanciato il primo pacchetto mondiale a pedaggio a 650 V Silicon Carbide Mosfet
- Il kit di sviluppo del motore di ON Semiconductor si concentra innanzitutto sull'efficienza energetica
- La piattaforma lidar del fotomoltiplicatore al silicio (SiPM) di ON Semiconductor dToF (direct time-of-flight) fornisce progetti pronti per applicazioni di portata industriale
- ON Semiconductor e Theta Power Systems International stabiliscono una partnership per le applicazioni di controllo dei motori
- ON Semiconductor nomina Hassane El-Khoury come successore CEO (CEO)