Numero di parte interno | RO-2N6027RL1G |
---|---|
Condizione | Original New |
Paese di origine | Contact us |
Contrassegno superiore | email us |
Sostituzione | See datasheet |
Tensione - uscita: | 11V |
Tensione - Offset (Vt): | 1.6V |
Voltaggio: | 40V |
Serie: | - |
Dissipazione di potenza (max): | 300mW |
Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Altri nomi: | 2N6027RL1GOSDKR |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrizione dettagliata: | Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Corrente - Valle (IV): | 50µA |
Corrente - Picco: | 2µA |
Corrente - Gate to anodo di dispersione (Igao): | 10nA |
Email: | [email protected] |