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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N6626US
1N6626US
1N6626US
Modello di prodotti:
1N6626US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF
Stato RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità in magazzino:
82124 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N6626US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-1N6626US
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.35V @ 2A
Tensione - inversa (Vr) (max):220V
Contenitore dispositivo fornitore:A-MELF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):30ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 220V 1.75A Surface Mount A-MELF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2µA @ 220V
Corrente - raddrizzata media (Io):1.75A
Capacità a Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N6626US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N6627US Image 1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6631 Image 1N6631 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6631US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6624 Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK Inchiesta
1N6628US Image 1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Inchiesta
1N6622US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF Inchiesta
1N6629US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF Inchiesta
1N6628 Image 1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Inchiesta
1N6622 Image 1N6622 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL Inchiesta
1N6629 Image 1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6624US Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF Inchiesta
1N6630 Image 1N6630 Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL Inchiesta
1N6630US Microsemi DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B Inchiesta
1N6623 Image 1N6623 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL Inchiesta
1N6625 Image 1N6625 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6626 Image 1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Inchiesta
1N6627 Image 1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Inchiesta
1N6625US Image 1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Inchiesta

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