1N1206A
- Modello di prodotti:
- 1N1206A
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 76793 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.1N1206A.pdf2.1N1206A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-1N1206A |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 12A |
| Tensione - Ripartizione: | DO-4 |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Altri nomi: | 1242-1079 |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 1N1206A |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Configurazione diodo: | 10µA @ 50V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.1V @ 12A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 600V |
| Capacità a Vr, F: | -65°C ~ 200°C |
| Email: | [email protected] |
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