PMXB350UPEZ
- Αριθμός εξαρτήματος:
- PMXB350UPEZ
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 81439 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- PMXB350UPEZ.pdf
Εισαγωγή
We can supply PMXB350UPEZ, use the request quote form to request PMXB350UPEZ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMXB350UPEZ.The price and lead time for PMXB350UPEZ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMXB350UPEZ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-PMXB350UPEZ |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - Test: | 116pF @ 10V |
| Τάσης - Ανάλυση: | DFN1010D-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2A (Ta) |
| Πόλωση: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | PMXB350UPEZ |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.3nC @ 4.5V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 950mV @ 250µA |
| FET Χαρακτηριστικό: | P-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | P-Channel 20V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για PMXB350UPEZ
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
PMXB56EN | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB65UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | Έρευνα |
|
PMXB75UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G | Έρευνα |
|
PMXB120EPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB360ENEAZ | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB360ENEAZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 | Έρευνα |
|
PMXB350UPEZ | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB43UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G | Έρευνα |
|
PMXB43UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB40UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G | Έρευνα |
 |
NTMS5P02R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC | Έρευνα |
 |
HUFA75333S3S | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | Έρευνα |
|
PMXB120EPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3 | Έρευνα |
|
PMXB56EN | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB65ENEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
 |
IRFR3710ZTR | International Rectifier (Infineon Technologies) | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | Έρευνα |
|
PMXB40UNEZ | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB40UNE | Nexperia | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB120EPE | Nexperia | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | Έρευνα |
|
PMXB56ENZ | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G | Έρευνα |