Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-CSD13302WT |
---|---|
Κατάσταση | Original New |
Προέλευση χώρας | Contact us |
Κορυφαία σήμανση | email us |
Αντικατάσταση | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±10V |
Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 4-DSBGA (1x1) |
Σειρά: | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
Έκλυση ενέργειας (Max): | 1.8W (Ta) |
Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
Συσκευασία / υπόθεση: | 4-UFBGA, DSBGA |
Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 35 Weeks |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 862pF @ 6V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 7.8nC @ 4.5V |
FET Τύπος: | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό: | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 12V |
Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |