Nexperia, expert en production à haut rendement dans la production d'infrastructures à semi-conducteurs, a annoncé la première série de Mosfet de canal P de LFPAK56 (Power-SO8) encapsulée par une résistance à rouleau élevée, une utilisation élevée d'espace. Le nouveau périphérique est conforme à la norme AEC-Q101, adaptée aux applications automobiles, en tant que produit alternatif idéal de DPAK MOSFET et réduit l'empreinte de l'emballage basée sur la performance garantie, 50%. La nouvelle série de produits peut être sélectionnée dans une plage de tension de fonctionnement de 30 V à 60 V et la résistance RDS (ON) est aussi faible que 10 MΩ (30 V).

Le package LFPAK utilise une structure de clip de cuivre et elle est d'abord appliquée par Nexperia, qui a été utilisée dans un champ d'application strict d'automobiles. Il s'avère que la fiabilité de l'emballage est supérieure aux exigences de la norme AEC, qui dépasse 2 fois l'indicateur de test de fiabilité essentiel et la structure de paquet unique augmente également la fiabilité du niveau de la carte. Seuls les périphériques N-Channel étaient utilisés auparavant pour le périphérique N-Channel. Maintenant, en raison des besoins industriels, Nexperia étend la gamme de produits LFPAK56 et le dispositif de canal P est également inclus.

NEXPERIA DIRECTEUR DE PRODUIT Malte Struck Review: "Le nouveau MOSFET P-Channel est polarisé à la polarité; sous forme de commutateurs latéraux haut, pour les réglages de sièges, les puits de lumière et le contrôle de la fenêtre, etc., ils s'appliquent également aux stations de base 5G et aux autres scénarios d'application des industries."