MOSFET de puissance HiPerFET ™ Ultra-Junction X3 de 200 V

La gamme de produits de semi-conducteurs de puissance d'IXYS Corporation va de 36 A à 300 A en termes de courant

Les transistors MOSFET HiPerFET ™ de classe X3 Ultra Junction 200 V d'IXYS Corporation ont des puissances nominales allant de 36 A à 300 A. Une large sélection d'appareils est disponible dans un certain nombre de boîtiers standard internationaux.

Fabriqués à l'aide d'un principe de compensation de charge et de la technologie de processus propre à IXYS, ces MOSFET présentent les résistances à l'état passant les plus faibles actuellement dans l'industrie (3,5 milliohms dans le boîtier SOT-227 et 4 milliohms dans le TO-264, par exemple). Avec des charges de grille aussi faibles que 21 nanocoulombs, ces appareils permettent des densités de puissance et des rendements énergétiques élevés dans une grande variété d'applications de conversion de puissance à haute vitesse.

Les diodes de corps rapides des appareils sont optimisées et ont une faible charge et temps de récupération inverse, supprimant ainsi les transitoires et permettant une commutation de puissance à faible bruit et à haute efficacité. De plus, ces MOSFET sont capables d'avalanche et présentent une performance dv / dt supérieure (jusqu'à 20 V / ns).

Les applications ciblées comprennent la rectification synchrone, les chargeurs de batterie pour véhicules électriques légers (LEV), la commande de moteur (systèmes 48 V à 110 V), les convertisseurs CC-CC, les alimentations sans coupure, les chariots élévateurs électriques, les onduleurs, les relais statiques d'alimentation et la classe D amplificateurs audio.