Numéro de pièce interne | RO-SICRD5650TR |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 5A |
Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
Package composant fournisseur: | DPAK |
La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Séries: | - |
Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
Type de montage: | Surface Mount |
Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A Surface Mount DPAK |
Courant - fuite, inverse à Vr: | 60µA @ 650V |
Courant - Rectifié moyenne (Io): | 5A |
Capacité à Vr, F: | - |
Email: | [email protected] |